Ako všetci vieme, metódy bežne používané vo vákuovom poťahovaní sú vákuová transpirácia a iónové rozprašovanie.Aký je rozdiel medzi transpiračným náterom a naprašovacím náterom Manyľudí mať takéto otázky.Poďme sa s vami podeliť o rozdiel medzi transpiračným náterom a naprašovacím náterom
Vákuová transpiračná fólia má zohriať dáta, ktoré sa majú transpirovať, na pevnú teplotu pomocou odporového ohrevu alebo elektrónového lúča a laserového ostreľovania v prostredí so stupňom vákua najmenej 10-2Pa tak, aby tepelná vibračná energia molekúl resp. atómy v údajoch prevyšujú väzbovú energiu povrchu, takže mnoho molekúl alebo atómov sa transpiruje alebo zväčšuje a priamo ich ukladá na substrát za vzniku filmu.Povlak iónovým naprašovaním využíva vysoký demonštračný pohyb kladných iónov generovaných výbojom plynu pod vplyvom elektrického poľa na bombardovanie cieľa ako katódy, takže atómy alebo molekuly v cieli unikajú a ukladajú sa na povrch pokovovaného obrobku. požadovaný film.
Najbežnejšie používanou metódou vákuového transpiračného náteru je metóda odporového ohrevu.Jeho výhodou je jednoduchá konštrukcia zdroja vykurovania, nízka cena a pohodlná obsluha.Jeho nevýhodou je, že nie je vhodný pre žiaruvzdorné kovy a médiá odolné vysokým teplotám.Ohrev elektrónovým lúčom a laserový ohrev môžu prekonať nevýhody odporového ohrevu.Pri zahrievaní elektrónovým lúčom sa fokusovaný elektrónový lúč používa na priame ohrievanie obalených dát a kinetická energia elektrónového lúča sa stáva tepelnou energiou na transpiráciu dát.Laserový ohrev využíva ako zdroj ohrevu vysokovýkonný laser, ale kvôli vysokým nákladom na vysokovýkonný laser ho možno použiť len v malom počte výskumných laboratórií.
Zručnosť naprašovania sa líši od zručnosti vákuovej transpirácie.Rozprašovanie sa týka javu, pri ktorom nabité častice bombardujú späť na povrch (cieľ) tela, takže z povrchu sú emitované pevné atómy alebo molekuly.Väčšina emitovaných častíc je atómových častíc, ktoré sa často nazývajú rozprašované atómy.Naprašované častice používané na ostreľovanie cieľov môžu byť elektróny, ióny alebo neutrálne častice.Pretože ióny ľahko získajú požadovanú kinetickú energiu pod elektrickým poľom, ióny sa väčšinou vyberajú ako škrupinové častice.
Proces rozprašovania je založený na žiarovom výboji, to znamená, že rozprašovacie ióny pochádzajú z plynového výboja.Rôzne zručnosti naprašovania majú rôzne metódy žeravého výboja.DC diódové rozprašovanie využíva jednosmerný doutnavý výboj;Triódové rozprašovanie je žeravý výboj podporovaný horúcou katódou;RF naprašovanie využíva RF žiarivý výboj;Magnetrónové naprašovanie je žeravý výboj riadený prstencovým magnetickým poľom.
V porovnaní s vákuovým transpiračným povlakom má povlak naprašovaním mnoho výhod.Ak je možné rozprašovať akúkoľvek látku, najmä prvky a zlúčeniny s vysokým bodom topenia a nízkym tlakom pár;Priľnavosť medzi naprašovaným filmom a substrátom je dobrá;Vysoká hustota filmu;Hrúbka filmu môže byť kontrolovaná a opakovateľnosť je dobrá.Nevýhodou je, že zariadenie je zložité a vyžaduje si vysokonapäťové zariadenia.
Okrem toho je kombináciou metódy transpirácie a metódy naprašovania iónové pokovovanie.Výhodou tejto metódy je silná adhézia medzi fóliou a substrátom, vysoká rýchlosť nanášania a vysoká hustota fólie.
Čas odoslania: máj-09-2022